你對CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實驗、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)均勻性，無雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴(kuò)散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。閃爍晶體可用于輻射探測和安全防護(hù)。黑龍江國產(chǎn)CeYAG晶體廠家直銷

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動力學(xué)處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損黑龍江國產(chǎn)CeYAG晶體廠家直銷Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快。

采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進(jìn)行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍(lán)光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結(jié)果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應(yīng)關(guān)系，在650nm紅粉調(diào)節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。

高能物理和核物理實驗要求無機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質(zhì)的相互作用機(jī)制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測領(lǐng)域，為了增加射線的光電效應(yīng)截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線應(yīng)用領(lǐng)域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。無機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看，晶體中無明顯應(yīng)力，也沒有因小面生長現(xiàn)象而產(chǎn)生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。黑龍江國產(chǎn)CeYAG晶體廠家直銷

無機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。黑龍江國產(chǎn)CeYAG晶體廠家直銷

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍(lán)光有效激發(fā)，產(chǎn)生500~700 nm范圍內(nèi)的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對應(yīng)于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導(dǎo)致了發(fā)光強(qiáng)度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。黑龍江國產(chǎn)CeYAG晶體廠家直銷

上海藍(lán)晶光電科技有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型公司。上海藍(lán)晶致力于為客戶提供良好的Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。上海藍(lán)晶立足于全國市場，依托強(qiáng)大的研發(fā)實力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。